校正I-V曲線常用的方法-基于DDM的數(shù)值方法： 

D01：簡化的雙二極管模型（4個參數(shù)）

為了簡化PV電池的物理模型，在SDM中，忽略了在p-n結(jié)中由于重組而造成的電流損失。但 是，如果需要更高的精度，則可以并行添加第二個二極管，以考慮到這一現(xiàn)象，從而獲得DDM（見圖2）。

在這個模型的D一種方法中，有可能忽略平行阻力Rsh?。?，假設其為無限值，得到（式（ 89）)：

需要識別的參數(shù)(Iph，是1 , 是2 ，Rs)減少為4，即m1 =1和m2 = 2 . 由于該模型包括D一二 極管的飽和電流和另一二極管的第二飽和電流，為了糾正從初始條件到目標條件的I-V曲線， 需要提供兩個不同的表達式，允許我們糾正每個飽和電流，例如（公式（90）和（91）)：

此外，對于照片生成的電流Iph，再次可以使用（式（76）)。Z后，串聯(lián)電阻接收站= 接收站,STC假設它與G和T無關(guān)。在本文中，我們還提出了被稱為D05的模型，與D01相同， 除了使用（公式（88）)而不是（公式（76）)。

D02：雙二極管模型（5個參數(shù)）

DDM [57]的完整版本（見圖2）假定平行電阻Rsh的有限值，必須以這種方式（式（14））。對于串聯(lián)電阻Rs，這個平行電阻被表示為一個常數(shù)Rsh= Rsh, STC.必須識別的參數(shù)將增加到5個：（Iph,STC,是1,STC,是2,STC,接收站,STC,Rsh,STC).被稱為D06的模型是a D02的修改版本，其中使用（式（88）)。

D03：雙二極管模型（6個參數(shù)） 

為了更好地擬合實驗數(shù)據(jù)，文獻[58,91]中的一些作品提出了釋放一個或兩個理想性因子。例如，理想性因子m2 第二二極管的范圍在一個區(qū)間內(nèi)，而理想因子是固定的(m1= 1).因此，有一個額外的參數(shù)需要識別。同樣，D07是 這種方法，但使用（式（88）)進行翻譯Iph.

D04：雙二極管模型（7個參數(shù)）

Z后，Z廣義的DDM [20]版本釋放了兩個理想因子m1 和m2.一方面，這給了模型對測量曲 線更好的擬合，但另一方面，也有可能在模型中捕獲高水平的噪聲，導致過擬合[92]。與之前 的模型一樣，本文提出了一個改進的版本D08，以量化在使用（方程（88））時所取得的改進。 

羅方法的方法

該方法[59]基于SDM，并試圖從在(G1、T1) . 同樣，目標是估計(Iph1,是1, m,接收站 1,Rsh1).

之后，這些參數(shù)可以轉(zhuǎn)換為其他操作條件，利用這些信息，就可以模擬任何目標條件下的 I-V曲線(G2，T2). 然而，與其使用測量曲線的所有I-V對作為輸入，不如只考慮來自幾個選定 點的數(shù)據(jù)。

對于I-V曲線的每個工作點，包括短路點（SC）、開路點（OC）和Z大功率點（MPP）等， 應保持電壓V和（式(9))所述的電壓和電流I之間的關(guān)系。對于這些點中的每一個，都有可能定 義一個方程，這樣我們就可以建立一個系統(tǒng)，如果得到與未知數(shù)相同數(shù)量的方程，就可以求解。從SC、OC和MPP中，我們分別有（方程（92）-（94）），它們都是指初始條件(G1，T1):

由于我們有五個未知數(shù)，所以需要兩個額外的方程。一方面， 如果在SC條件下計算和計算I對V的導數(shù)，則結(jié)果應該是跨越縱坐標（V = 0 V）軸時的I-V曲線 的斜率（公式（95）)。這個斜率dI/dV可以從SC周圍的I-V對的選擇來估計：

另一方面，當穿過橫坐標（I = 0 A）軸時，I-V曲線的斜率應該等于I對在OC處計算的V的 導數(shù)，得到Z終的(等式

Z后，我們得到了一個具有五個未知數(shù)(Iph1,是1, m, 接收站1,Rsh1和五個方程（式（9 2）-（96））。該系統(tǒng)可以用任何符號解析器來求解；例如，Matlab [19]的優(yōu)化工具箱。

鏈接：IEC60891和其他溫度和輻照度校正程序與光伏器件I-V特性的比較